ВИЗУАЛЬНЫЙ ОБЗОР ПРОДУКТА01 / ГАЛЕРЕЯ
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
СИЛОВОЙ КОМПОНЕНТ
Симистор YZPST-BTA316-800B
✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям
Эл. почтаinfo@yzpst.net
Телефон+86 138 0527 8321
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ
Загрузки и технические файлы
YZPST-BTA316-800B
Новинка: симистор BTA316-800B 16A в корпусе TO-220F
Корпус
TO-220F
Основная характеристика (Tj=25℃)
| Обозначение | Значение | Ед. изм. |
| IT(СКЗ) | 16 | A |
| VDRM / VRRM | ≥800 | V |
| ITSM | 160 | A |
Абсолютное номинальные значения (Предельный Значения)
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. | |
| IT (СКЗ) | Действующее значение тока в открытом состоянии (полная синусоидаe оида) | 16 | A | |
| Неповторяющийся пиковый ток в открытом состоянии | ||||
| ITSM | Ток (Tj=25℃,tp=20 мс) | 160 | A | |
| I2t | I2t для предохранения (tp=10 мс) | 140 | A2S | |
| IGM | Пиковая мощность затвора ток коллектора | 4 | A | |
| VGM | Пиковое напряжение на затворе | 16 | V | |
| PGM | Пиковая мощность затвора | 40 | W | |
| PG(сред.) | Средняя мощность затвора | 1 | W | |
| dIT/dt | Периодическая скорость нарастания тока в открытом состоянии после срабатывания | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 50 | |
| (IT=6 А,IG =0,2 А,dlG/dt=0,2А/мкс) | Ⅳ | 50 | A/μs | |
| Tstg | Температура хранения | 110 | ℃ | |
| Tj | Рабочий переход температуры | 85 | ||
Тепловые сопротивления
| Обозначение | Параметр | Условия | Тип | Ед. изм. | |
| Rth j-c | Тепловое сопротивление, переход—case | Один цикл | 220F | 1.2 | ℃/Вт |
| Rth j-a | Тепловое сопротивление, переход—окружающая средасреда | —— | —— | 60 | ℃/Вт |
Электрические характеристики (Tj=25℃ если не указано указано)
| Обозначение | Условия испытаний | Тип | Макс. | Ед. изм. | |
| BTA316-800 | C | B | |||
| VD=12 В IT=0.1A | |||||
| T2+ G+ | 11 | 16 | 25 | мА | |
| IGT | T2+ G- | 12 | 20 | 30 | мА |
| T2- G- | 18 | 25 | 50 | мА | |
| T2- G+ | мА | ||||
| IВ | VD=12 ВIGT=0.1A | 25 | 50 | мА | |
| VTM | IT=20 А | — 1.3— | 1.7 | V | |
| IDRM | V DRM=520 В | 10 | мкА | ||
| IRRM | VRRM=520 В | 15 | мкА | ||
| VD=12 В IT=0.1A | |||||
| VGT | Tj=125℃ | —— | 1.65 | V | |
| VD=VDRM（МАКС） | |||||
| ID | Tj=125℃ | —— | 0.5 | мА | |
Обозначение корпусаTO-263：
Дополнительная информация о продукте отсутствует.
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Подписывайтесь на YZPST
