YZPST-RGN65C035
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
P/N:YZPST-RGN65C035
Супер-GaN FET 650 В в корпусе TO-247
Особенности
● Легко управлять — совместим со стандартными драйверами затвора
● Низкие потери проводимости и переключения
● Низкий Qrr — 175 нК, свободновращающий диод не требуется
● Расположение выводов GSD улучшает проектирование для высоких скоростей
● Технология GaN, соответствующая требованиям JEDEC
● Соответствует RoHS и не содержит галогенов
Преимущества
● Повышенная эффективность благодаря быстрому переключению
● Повышенная удельная мощность
● Меньшие габариты и масса системы
● Позволяет реализовать более эффективные топологии — легко внедряются безмостовые схемы тотем-полюс
● Более низкая стоимость BOM
Области применения
● Возобновляемая энергетика
● Промышленность
● Автомобильная промышленность
● Телеком и дата-центры
● Серводвигатели
Основные характеристики | |
VDS (В) мин. | 650 |
VTDS (В) макс. | 800 |
RDS(on) (мОм) макс. | 41 |
Qrr (нК) тип. | 175 |
Qg (нК) тип. | 28 |
Абсолютные предельно допустимые значения (TC = 25 °C, если не указано иное)
Обозначение | Параметр | Предельное значение | Ед. изм. |
ID25°C | Непрерывный ток стока при TC = 25 °C a | 50 | A |
ID100°C | Непрерывный ток стока при TC = 100 °C a | 31.5 | A |
IDM | Импульсный ток стока (ширина импульса: 10 мкс) | 240 | A |
VDSS | Напряжение сток-исток | 650 | V |
VTDS | Переходное напряжение сток-исток b | 800 | V |
VGSS | Напряжение затвор-исток | ±18 | V |
PD25 °C | Максимальная рассеиваемая мощность | 178 | W |
TJ | Температура перехода при работе | -55 до +150 | °C |
TS | Температура хранения | -55 до +150 | °C |
TCSOLD | Пиковая температура пайки c | 260 | °C |
Тепловое сопротивление
Обозначение | Параметр | Типичное | Ед. изм. |
RΘJC | переход-корпус | 0.7 | °C/Вт |
RΘJA | Переход-окружающая среда | 40 | °C/Вт |
Испытательные схемы и формы сигналов
Механические
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
