YZPST-M2G0080120D

✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям

Эл. почтаinfo@yzpst.net

Телефон+86 138 0527 8321

ЗАПРОСИТЬ ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ↗

Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.

ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ

Загрузки и технические файлы

9b227522cc757c12.0--SCTW40N120G2V-R090.pdfСКАЧАТЬ ↘

Силовой MOSFET 1200 В с N-каналом из карбида кремния SiC MOSFET

Особенности
Оптимизированный корпус с отдельным выводом источника драйвера
Высокое напряжение пробоя при низком сопротивлении в открытом состоянии
Высокоскоростное переключение при малых емкостях
Быстрый встроенный диод с малым обратным восстановлением (Qrr)
Легко включать параллельно
Соответствует RoHS
Преимущества
Повышает эффективность системы
Снижает требования к охлаждению
Повышенная удельная мощность
Обеспечивает более высокую частоту
Минимизирует звон затвора
Снижение сложности и стоимости системы
Области применения
Импульсные источники питания
Преобразователи DC/DC
Солнечные инверторы
Зарядные устройства для аккумуляторов
Приводы двигателей
Силовой MOSFET

Максимальные предельные значения(Tc = 25 °C, если не указано иное)

Обозначение	Параметр	Значение	Ед. изм.	Условия испытаний	Примечание
f^DSmax	Напряжение пробоя сток-исток	1200	V	море= 0 В,/d=100 卩A
Id	Непрерывный ток стока	42	A	4s=20 V Tc=25 °C	Рис. 18
Pd	Рассеиваемая мощность	208	W	*=25 °C	Рис. 19
FgS,op	Рекомендуемое напряжение затвор-исток	-0.25	V
J^Smax	Максимальное напряжение затвор-исток	-0.4	V	AC (f>lHz)	Примечание 1
Tj, Tstg	Диапазон рабочих температур перехода и температуры хранения	от -55 до	°C
Tj, Tstg	Диапазон рабочих температур перехода и температуры хранения	175	°C
7l	Температура пайки	260	°C

Электрические характеристики

Обозначение	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.	Условия испытаний	Примечание
Статические
BVds	Напряжение пробоя сток-исток	1200	-	-	V	4s=0 V, Zd=100 卩A
A)ss	Ток стока при нулевом напряжении затвор-исток	—	11	100		丹s=1200 V Pgs=0 V
Igss	Утечка затвор-исток	—	10	250	нА	4s=20 V
FGS(th)	Пороговое напряжение затвор-исток	2	—	4	V	Id=5 mA,	Рис. 11
&DS(on)	Сопротивление открытого канала сток-исток	—	78	100	mQ	国=20 V, Zd=20 A	Рис. 6
Динамические
Ciss	Входная ёмкость	—	1128		PF	4s=0 V,比s=1000 V	Рис. 17
C^oss	Выходная ёмкость	—	86			f^l.OMHz,瓜=25 мВ
Crss	Обратная передаточная ёмкость	—	5
Eoss	Энергия, запасённая Coss	-	44		卩Дж		Рис. 16
Qs	Полный заряд затвора	—	52		нКл	moo V	Рис. 12
figs	Заряд затвор-исток	-	17			血=20 A
Qgd	Заряд затвор-сток	-	15			Fgs=-5/+20 V
td(cn)	Время задержки включения	—	41		нс	丹 s=800 V
tr	Время нарастания при включении	-	21			Fgs=-5/+20 V
	Время задержки при выключении	—	48			Id=20A
tf	Время спада при выключении	—	16			Ro(ext)=2.5 Q
RG(int)	Внутреннее сопротивление затвора	-	4		n	E.O MHz, Vac=25 мВ

Характеристики встроенного диода, при Tj=25°C, если не указано иное

Обозначение	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.	Условия испытаний	Примечание
Is	Непрерывный прямой ток диода	-	-	42	A		Примечание 1
	Прямое напряжение диода	-	4	-	V	Kjs=0 V, Zs=10 A	Рис. 8,
	Прямое напряжение диода	-	4	-	V	Kjs=0 V, Zs=10 A	9,10
trr	Время обратного восстановления	-	26	-	нс	1s=20 A,既)s=800 V
0r	Обратный заряд восстановления	-	163	-	нКл	%s=・5 В	Примечание 1
Zrrm	Пиковый обратный ток восстановления		12		A	di/dt=2100 А/мкс

Тепловые характеристики

Обозначение	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.	Примечание
Rbjc	Тепловое сопротивление переход-корпус	/	0.68	/	°C/Вт	Рис. 20

Схема испытательной цепи

YZPST-M2G0080120D MOSFET