.jpg)
.jpg)
.jpg)

.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)

.jpg)
YZPST-S2535-12C
Краткое описание продукта и основная техническая информация будут загружены из базы данных продуктов.
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
P/N: YZPST-S2535, серия тиристоров 25 А
Серия тиристоров YZPST-S2535 25 А подходит для всех режимов управления
ОПИСАНИЕАНИЕ:
Тиристоры с стеклопассивированием в пластиковом корпусе. Серия тиристоров YZPST-S2535 подходит для всех режимов управления и используется в таких областях, как защита от перенапряжения по схеме crowbar, схемы управления двигателями в электроинструментах и кухонной технике, схемы ограничения пускового тока, капаситивное разрядное зажигание, плавный пуск AC-двигателей и схемы регулирования напряжения…

Обозначение | Значение | Ед. изм. |
IT(RMS) | 40 | A |
VDRM VRRM | 1200 | V |
IGT | 35 | мА |
ПРЕДЕЛЬНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
Параметр | Sсимвол | Значение | UЕд. |
Диапазон температуры перехода при хранении | Tstg | -40 ~150 | ℃ |
Диапазон температуры перехода при эксплуатации | Tj | -40~125 | ℃ |
Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии (T =25℃) | VDRM | 1200 | V |
Повторяющееся пиковое обратное напряжение (T =25℃) | VRRM | 1200 | V |
Неповторяющееся импульсное пиковое напряжение в выключенном состоянии | VDSM | VDRM +100 | V |
Неповторяющееся пиковое обратное напряжение | VRSM | VRRM +100 | V |
Среднеквадратичный ток в открытом состоянии (T =100℃) | IT(RMS) | 40 | A |
Неповторяющийся импульсный пиковый ток в открытом состоянии | ITSM | 350 | A |
Средний ток в открытом состоянии (угол проводимости 180°) | IT(AV) | 25 | A |
Значение I2t для предохранителя (tp=10ms) | I2t | 450 | A²·с |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (I =2×IGT, tr ≤ 100 нс) | dI/dt | 150 | А/мкс |
Пиковый ток затвора | IGM | 4 | A |
Средняя рассеиваемая мощность затвора | PG(AV) | 1 | W |
Символl | Испытание Состоя |
| ниеЗнач | UЕд. |
IGT | V =12V R =140Ω | МАКС. | 35 | мА |
VGT | МАКС. | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ | МИН. | 0.2 | V |
IL | IG=1.2IGT | МАКС. | 75 | мА |
IH | IT=50mA | МАКС. | 50 | мА |
dV/dt | VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | МИН. | 500 | В/мкс |
СТАТИЧЕСКИЕ CHХАРАКТЕРИСТИКИ
| Символl | Параметр | Значение(МАКС.) | UЕд. | |
| VTM | ITM =40A tp=380μs | Tj =25℃ | 1.65 | V |
| IDRM | VD=VDRM VR=VRRM | Tj =25℃ | 500 | μA |
| IRRM | Tj =125℃ | 6 | mA | |
Tтермический Сопротивления
| Символl | Параметр | Значение(МАКС.) | UЕд. |
| Rth(j-a) | переход до окружающая среда(DC) | 60 | |
| Rth(j-c) | Переход до case (пост. тока) | 0.9 | ℃/W |
TO-220°C Корпус Механические Данные

Похожие продукты
От номера детали до полного решения по электропитанию.

Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Отправьте нам номер детали, требуемые электрические параметры и область применения.
Связаться с YZPST →© 2026 YZPST. Все права защищены.
Мы используем необходимые cookie для работы этого сайта. С вашего разрешения аналитические cookie помогают нам понимать, как используется сайт. Ознакомьтесь с нашей Политикой cookie.



.jpg)

.jpg)
.jpg)