YZPST-2SA940

✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям

Эл. почтаinfo@yzpst.net

Телефон+86 138 0527 8321

ЗАПРОСИТЬ ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ↗

Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.

ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ

Загрузки и технические файлы

YZPST-2SA940-220-英文版.pdfСКАЧАТЬ ↘

Транзистор PNP-типа 2SA940

ОПИСАНИЕ:
2SA940 — это транзистор PNP-типа, используемый в качестве силового ключа для электронных ПРА и электронных энергосберегающих ламп. Он отличается низкими потерями при переключении, высокой надёжностью, хорошими характеристиками при высокой температуре, подходящей скоростью переключения, высоким напряжением пробоя, низким обратным током утечки и т. д.
YZPST-2SA940-1

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

Обозначение	Параметр	Значение	Ед. изм.
VCBO	Напряжение коллектор-база	-150	V
VГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР	Напряжение коллектор-эмиттер	-150	V
VEBO	Напряжение эмиттер-база	-5	V
IC	Непрерывный ток коллектора	-1.5	A
PTOT	Полное рассеяние при Tcase=25 ℃	25	W
T_j	Температура перехода	150	℃
T_stg	Область хранения-1.5температур	-55〜150	℃

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TC = 25°C, если не указано иное)

Обозначение	Параметр	Условия испытаний	Значение			Ед. изм.
Обозначение	Параметр	Условия испытаний	Мин	Тип	Макс.	Ед. изм.
V(BR)CBO	Напряжение пробоя коллектор-база	I_C=-1 мА	-150			V
V(BR)CEO	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	I_C=-1 мА	-150			V
V(BR)EBO	Напряжение пробоя эмиттер-база	I_E=-1 мА	- 5			V
ICBO	Ток отсечки коллектора	V_CB=-150 В, I_E=0			-5	мкА
IГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР	Ток отсечки коллектора	V_CE=-150 В, I_C=0			-5	мкА
IEBO	Ток отсечки эмиттера	V_EB=-5 В, I_C=0			-5	мкА
hFE	Коэффициент усиления по постоянному току	V_CE=-10 В, I_C=-0,5 А	40		140
VCE(sat)	Напряжение пробоя коллектор-база	I_C=-0,5 А, I_B=-50 мА			-0.85	V
VBE(sat)	Напряжение насыщения база-эмиттер	I_C=-0,5 А, I_B=-50 мА			-1.5	V
a: tp≤300μс,δ≤2%