YZPST-BTA40-800B TG40C80 Высокая устойчивость к импульсным токам 400 А, изолированный литой TRIAC TG40C80

Обозначение

Параметр

Условия

предельные значения

Ед. изм.

I_{I_T RMS} 

Среднеквадратичный ток во включенном состоянии

Tc

40

A

I_TSM

Пиковый импульсный ток в открытом состоянии

Один цикл, 50 Гц/, пик, неповторяющийся

400 

A

I²t

I2t

Значение для одного цикла импульсного тока

880

A²S

P_GM 

Пиковая рассеиваемая мощность затвора

10

W

P_{I_G AV}

Средняя рассеиваемая мощность затвора

1

W

I_GM

Пиковый ток затвора

8

A

V_GM 

Пиковое напряжение управляющего электрода

10

V

di/dt

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии

IG=100 мА, Tj=25 °C VD=1/2VDRM dIG/dt=1 А/мкс

50

А/мкс

Tj

Рабочая температура p-n-перехода

-25～+125

℃

T_stg 

Температура хранения

-40～+125

℃

V_ISO 

Действующее напряжение пробоя изоляции

Переменный ток, 1 минута

2500

V

Момент затяжки M4

Рекомендуемое значение 1,0 ～1.4（10～14）

14

кгс·см

Обозначение

Параметр

предельные значения

Ед. изм.

TG40C60

TG40C80

TG40C100

TG40C12

V

V_DRM 

Повторяющееся пиковое запирающее напряжение

600

800

1000

1200

V

Обозначение

Параметр

Условия

предельные значения

Ед. изм.

I_DRM 

Повторяющийся пиковый ток в запертом состоянии, макс.

VD=VDRM, однофазный, полуволновой, Tj=125℃

5

мА

V_TM

Пиковое напряжение в открытом состоянии, макс.

Ток в открытом состоянии √2× I_T (RMS), мгновенное измерение

1.55

V

I _GT1 +

1

Пусковой ток затвора, макс.

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

мА

I _GT1 -

2

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

мА

I _GT3 +

3

-

мА

I _GT3 +

4

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

50

мА

V _GT1+

1

Пусковое напряжение затвора, макс.

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V

V _GT1-

2

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V

V _GT3+

3

-

V

V _GT3-

4

Tj =25℃, IT=1A, VD=6V

3

V_GD 

Минимальное напряжение незапускающего управляющего электрода

Tj =25℃, VD=1/2VRRM

0.2

V

tgt

Время включения, макс.

IT=(RMS),IG=100mA,VD=1/2VDRM,Tj=25℃,dIG/dt=1A/μS

10

V

dv/dt

Критическая скорость нарастания напряжения в открытом состоянии, мин.

Tj=25℃,VD=2/3VDRM Экспоненциальная волна.

500

V/μS

(dv/dt) c

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при коммутации, мин.

Tj=25℃,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/μS

5

V/μS

I_В

Ток удержания, тип.

Tj =25℃

60

мА

R_th(j-c)

Тепловое сопротивление, макс.

Переход-корпус

0.9

℃/W