.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-BTA25-600BW TG25C60
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Серия YZPST-TG25..
YZPST-BTA25-600BW TG25C60
СИМИСТОР (ИЗОЛИРОВАННЫЙ ТИП)
TG25C/E/D — это изолированные литые симисторы, подходящие для широкого спектра применений, таких как копировальные аппараты, микроволновые печи, твердотельные выключатели,
управление двигателями, управление освещением и управление нагревателями.
IT AV 25A
Высокая стойкость к импульсному току 400 А
Изолированное крепление AC2500V
Клеммы-лапки
Максимальные предельные значения
Обозначение | Параметр | Условия | предельные значения | Ед. изм. |
IT RMS | Среднеквадратичный ток во включенном состоянии | Tc | 25 | A |
ITSM | Пиковый импульсный ток в открытом состоянии | Один цикл, 50 Гц/60 Гц, пиковое, нерепетитивное | 300/330 | A |
I2t | I2t | Значение за один цикл импульсного тока | 450 | A²·с |
PGM | Пиковая рассеиваемая мощность затвора |
| 10 | W |
PGAV | Средняя рассеиваемая мощность затвора |
| 1 | W |
IGM | Пиковый ток затвора |
| 3 | A |
VGM | Пиковое напряжение управляющего электрода |
| 10 | V |
di/dt | Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии | IG=100 мА, Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1 А/мкс | 50 | А/мкс |
Tj | Рабочая температура p-n-перехода |
| -25～+125 | ℃ |
Tstg | Температура хранения |
| -40～+125 | ℃ |
VISO | Напряжение пробоя изоляции, R.M.S. | переменный ток, 1 минута | 2500 | V |
| Монтажный момент M4 | Рекомендуемое значение 1,0～1.4（10～14） | 14 | кгс·см |
Максимальные предельные значения
Tj=25, если не указано иное
| Обозначение | Параметр | предельные значения | Ед. изм. | |||
| TG25C60 | TG25C80 | TG25C100 | TG25C12 | V | ||
| VDRM | Повторяющееся Пиковое напряжение в закрытом состоянии Напряжение | 400 | 800 | 1000 | 1200 | V |
Электрические характеристикихарактеристики
Обозначение | Параметр | Условия | предельные значения | Ед. изм. | |
IDRM | Повторяющийся пиковый ток в закрытом состоянии макс. | VD=VDRM, однофазный, полуволновой, Tj=125℃ | 5 | мА | |
VTM | Пиковое напряжение в открытом состоянии, макс. | Ток в открытом состоянии, ток в открытом состоянии √2 × IT (RMS), мгновенное измерение | 1.4 | V | |
I GT1 + | 1 | Ток срабатывания затвора, макс. | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | мА |
I GT1 - | 2 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | мА | |
I GT3 + | 3 |
| - | мА | |
I GT3 + | 4 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | мА | |
V GT1+ | 1 | Напряжение запуска затвора, макс. | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 | V |
V GT1- | 2 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 | V | |
V GT3+ | 3 |
| - | V | |
V GT3- | 4 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 |
| |
VGD | Напряжение незапускающего затвора, мин. | Tj =25℃, VD= 1/2VRRM | 0.2 | V | |
tgt | Время включения, макс. | IT=(RMS),IG= 100mA,VD=1/2VDR M,Tj=25℃,dIG/dt=1A/μS | 10 | V | |
dv/dt | Критическая скорость нарастания напряжения в открытом состоянии напряжения, мин. | Tj=25℃,VD=2/3VDRM Экспоненциальная волна. | 20 | V/μS | |
(dv/dt) c | Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии Напряжение при коммутации, мин. | Tj=25℃,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/μS | 5 | V/μS | |
IH | Удерживающий ток, тип. | Tj =25℃ | 30 | мА | |
Rth(j-c) | Тепловое сопротивление, макс. | Переход — корпус | 1.5 | ℃/W | |
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
