

YZPST-G300HF120TK-G3
Краткое описание продукта и основная техническая информация будут загружены из базы данных продуктов.
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Особенности
- Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение тока короткого замыкания
- КРИСТАЛЛ IGBT (технология Trench + Field Stop)
- VCE(sat) с положительным температурным коэффициентом
- Высокая скорость переключения и короткий хвостовой ток, низкие потери при переключении
- Свободноходовые диоды с быстрым и мягким обратным восстановлением
Области применения
- Применение для высокочастотной коммутации
- Медицинское оборудование
- управление движением/серводвигателем
- Системы ИБП
- Беспомощные в мире, где преступники действуют
- Теперь мы вышли в высшую лигу и набираем обороты
Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Значения | Ед. изм. |
IGBT | ||||
VCES | Напряжение коллектор-эмиттер | TVj=25°C | 1250 | V |
VGES | Напряжение затвор-эмиттер | ±30 | V | |
IC | Постоянный ток коллектора | TC=25°C | 450 | A |
TC=80°C | 300 | A | ||
ICM | Повторяющийся пиковый ток коллектора | tp=1ms | 600 | A |
Ptot | Рассеиваемая мощность на IGBT | 3000 | W | |
Диод | ||||
VRRM | Повторяющееся обратное напряжение | TVj=25°C | 1250 | V |
IF(AV) | Средний прямой ток | TC=25°C | 450 | A |
TC=80°C | 300 | A | ||
IFRM | Повторяющийся пиковый прямой ток | tp=1ms | 600 | A |
I2t | TVj =125°C, t=10ms, VR=0V | 19000 | А²с | |
Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | |||
IGBT | |||||||||
VGE(th) | Пороговое напряжение затвор-эмиттер | VCE=VGE, IC=2,0 мА | 5.0 | 6.8 | V | ||||
VCE(sat) | Коллектор-эмиттер | IC=300 А, VGE=15 В, TVj=25°C | 2.2 | 2.6 | V | ||||
Напряжение насыщения | IC=300 А, VGE=15 В, TVj=125°C | 2.4 | V | ||||||
ICES | Ток утечки коллектора | VCE=1250 В, VGE=0 В, TVj=25°C | 1 | мА | |||||
VCE=1250 В, VGE=0 В, TVj=125°C | 5 | мА | |||||||
Rgint | Встроенный резистор затвора | На каждый переключатель | 10 | Ом | |||||
IGES | Ток утечки затвора | VCE=0 В, VGE±15 В, TVj=125°C | -500 | 500 | нА | ||||
Cies | Входная емкость | VCE=25 В, VGE=0 В, f = 1 МГц | 21 | нФ | |||||
Cres | Обратная передаточная емкость | 1.5 | нФ | ||||||
td(on) | Задержка включения | VCC=600 В, IC=300 А, | TVj =25°C | 90 | нс | ||||
RG =4,7 Ом, | TVj =125°C | 110 | нс | ||||||
tr | Время нарастания | VGE=±15 В, | TVj =25°C | 55 | нс | ||||
Индуктивная нагрузка | TVj =125°C | 60 | нс | ||||||
td(off) | Задержка выключения | VCC=600 В, IC=300 А, | TVj =25°C | 460 | нс | ||||
RG =4,7 Ом, | TVj =125°C | 500 | нс | ||||||
tf | Время спада | VGE=±15 В, | TVj =25°C | 55 | нс | ||||
Индуктивная нагрузка | TVj =125°C | 60 | нс | ||||||
Eon | Энергия включения | VCC=600 В, IC=300 А, | TVj =25°C | 28 | мДж | ||||
RG =4,7 Ом, | TVj =125°C | 12 | мДж | ||||||
Eoff | Энергия выключения | VGE=±15 В, | TVj =25°C | 25 | мДж | ||||
Индуктивная нагрузка | TVj =125°C | 13 | мДж | ||||||
ISC | Ток короткого замыкания | tpsc≤10 мкс, VGE=15 В TVj=125°C, VCC=720 В | 1300 | A | |||||
RthJC | Тепловое сопротивление переход-корпус (на каждый IGBT) | 0.13 | К/Вт | ||||||
Диод | |||||||||
VF | Прямое напряжение | IF=300 А, VGE=0 В, TVj=25°C | 2 | 2.4 | V | ||||
IF=300A, VGE=0В, TVj =125°C | 2.2 | V | |||||||
Qrr | Обратный заряд | IF=300A, VR=600В | 50 | uC | |||||
IRRM | Макс. ток обратного восстановления | diF/dt=-2400A/μs | 170 | A | |||||
Erec | Энергия обратного восстановления | TVj =125°C | 20 | мДж | |||||
RthJCD | Тепловое сопротивление переход–корпус | (на один диод) | 0.12 | К/Вт | |||||
Обозначение | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
TVj max | Макс. температура перехода | 175 | °C | |||
TVj op | Рабочая температура | -40 | 150 | °C | ||
Tstg | Температура хранения | -40 | 125 | °C | ||
Visol | Испытательное напряжение изоляции | AC, t=1 мин | 3000 | V | ||
Момент затяжки | К теплоотводу | Рекомендуется(M6) | 1.1 | 2 | Н·м | |
Момент затяжки | К сигнальной клемме К силовой клемме | Рекомендуется(M6) Рекомендуется(M) |
3
1.1
|
5
2
| Н·м | |
Масса | 328 | g | ||||
- СХЕМА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ

- Габаритный чертеж корпуса

От номера детали до полного решения по электропитанию.

Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Отправьте нам номер детали, требуемые электрические параметры и область применения.
Связаться с YZPST →© 2026 YZPST. Все права защищены.
Мы используем необходимые cookie для работы этого сайта. С вашего разрешения аналитические cookie помогают нам понимать, как используется сайт. Ознакомьтесь с нашей Политикой cookie.

.jpg)
.jpg)



