.webp)
YZPST-TG40E60
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
Предельные параметры
Обозначение | Параметр | предельные значения | Ед. изм. |
TG40E60 | |||
VDRM | Повторяющееся Пиковое напряжение в закрытом состояниинапряжение | 600 | V |
Обозначение | Параметр | Условия | предельные значения | Ед. изм. |
IT（RMS） | СКЗ во-включенном Ток | Tc ＝64℃ | 40 | A |
ITSM | Импульсный во-включенном Ток | Один цикл, 50/60Гц, пиковое значение, не-повторяющееся | 380/420 | A |
I2t | I2t | Значение для один цикл для импульса ток коллектора | 730 | A2s |
PGM | пиковое Управляющий электрод Рассеиваемая мощность рассеяние |
| 10 | W |
PG（сред.） | Средний ток управляющего электрода Рассеиваемая мощность рассеяние |
| 1 | W |
IGM | пиковое Управляющий электрод Ток |
| 3 | A |
VGM | Пиковое напряжение управляющего электрода |
| 10 | V |
di/dt | Критическая Скорость Увеличение Ток в открытом состоянии | IG ＝100мА，VD = ½VDRM，diG/dt ＝1A/ μs | 50 | A/ μs |
Tj | Рабочая температура p-n-перехода |
| -40～＋125 | ℃ |
Tstg | хранения температура |
| -40～＋150 | ℃ |
VISO | Изоляция Пробой Напряжение（СКЗ） | A.C.1 минута | 2500 | V |
| Монтаж Момент затяжки（M4） | Рекомендуемое значение 1.0～1,4 Н ・m（10～14 кгс·см） | 1.5（15） | N･m （кгс·см） |
| Масса | Типичное значение | 23 | g |
Электрические характеристики
Обозначение | Параметр | Условия | предельные значения | Ед. изм. | |||
Мин. | Тип. | Макс.. | |||||
IDRM | Повторяющееся Пиковое напряжение в закрытом состоянии Ток | Tj ＝125℃, ВD ＝VDRM |
|
| 5 | мА | |
VTM | Пиковое напряжение в открытом состоянии | IT ＝60 A |
|
| 1.4 | V | |
I GT1 | 1 |
Управляющий электрод Запуск Ток |
VD ＝6 В, IT ＝1 А |
|
| 50 | мА |
I GT1 | 2 |
|
| 50 | мА | ||
I GT3 | 3 | ― | ― | ― | мА | ||
I GT3 | 4 |
|
| 50 | мА | ||
VGT1 | 1 |
Напряжение запуска затвора |
VD ＝6 В, IT ＝1 А |
|
| 1.5 | V |
VGT1 | 2 |
|
| 1.5 | V | ||
VGT3 | 3 | ― | ― | ― | V | ||
VGT3 | 4 |
|
| 1.5 | V | ||
VGD | Не-Запуск Управляющий электрод Напряжение | Tj ＝125℃, VD = ½VDRM | 0.2 |
|
| V | |
dv/dt | Критическая Скорость Увеличение В закрытом состоянии Напряжение | Tj ＝125℃, VD =⅔VDRM, Экспоненциальная волна. | 500 |
|
| V/ μs | |
〔dv/dt〕c | Критическая Скорость Увеличение В закрытом состоянии Напряжение при коммутации | Tj ＝125℃, VD =⅔VDRM,〔di/dt〕c ＝10 А/мс | 6 |
|
| V/ μs | |
IВ | Ток удержания |
|
| 30 |
| мА | |
Rth（j-c） | Тепловое Импеданс | Переход-корпус |
|
| 1.3 | ℃/Вт | |
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
