ВИЗУАЛЬНЫЙ ОБЗОР ПРОДУКТА01 / ГАЛЕРЕЯ
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
СИЛОВОЙ КОМПОНЕНТ
YZPST-N2055MC280
✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям
Эл. почтаinfo@yzpst.net
Телефон+86 138 0527 8321
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ
Загрузки и технические файлы
P/N:YZPST-N2055MC280
СИЛОВОЙ ТИРИСТОР ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В СИСТЕМАХ ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ
Особенности:
Полностью диффузионная структура
. Конфигурация затвора с центральным усилением
. Гарантированное максимальное время выключения
. Высокая стойкость к dV/dt
Прибор, собранный под давлением
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И НОМИНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Блокирующее состояние
VRRM(1) | V DRM(1) | VRSM(1) |
2800 | 2800 | 2900 |
VRRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
VDRM = повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии
VRSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)
Повторяющееся пиковое обратноеse утечка и в выключенном состоянии утечка | IRRM /IDRM | 10 мА 65 мА (3) |
Критическая скорость рост напряжения | dV/dt (4) | 500 В/μс |
Проводящее - on состояние
| Параметр | Обозначение | Мин. | Макс. | Тип. | Единицы | Условия |
| Среднее значение тока в открытом состоянии | IT(AV) | 2000 | A | Tc=93oC | ||
| Среднеквадратичное значение тока в открытом состоянии | ITRMS | 2000 | A | Номинальное значение | ||
| Пиковый однократный импульсный ток | ITSM | 41000 | A | 8,3 мс (60 Гц), синусоидальная форма волны, проводимость 180°, Tj = 125 °C 10,0 мс (50 Гц), синусоидальная форма волны, проводимость 180°, Tj = 125 °C | ||
| (неповторяющийся) ток | 36000 | A | ||||
| I²t | I2t | 3,3×10⁶ | А²·с | 8,3 мс и 10,0 мс | ||
| Ток срабатывания фиксации | IL | 800 | мА | VD = 24 В; RL = 12 Ом | ||
| Ток удержания | IH | мА | VD = 24 В; I = 2,5 А | |||
| 400 | ||||||
| Пиковое напряжение в открытом состоянии | VTM | V | ITM = 2000 А; | |||
| 1.45 | ||||||
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (5) | di/dt | A/μs | Переключение от VDRM < 1000 В, неповторяющееся | |||
| 200 |
Управление затвором
| Параметр | Обозначение | Мин. | Макс. | Тип. | Единицы | Условия |
| Пиковая мощность, рассеиваемая затвором | PGM | 200 | W | tp = 40 мкс | ||
| Среднее рассеяние мощности затвора | PG(AV) | 5 | W | |||
| Пиковый ток затвора | IGM | 10 | A | |||
| Ток затвора, необходимый для срабатывания всех элементов | IGT | 300 | мА | VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = -40 °C VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = +25 °C VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = +125 °C | ||
| 150 | мА | |||||
| 125 | мА | |||||
| Напряжение затвора, необходимое для срабатывания всех элементов | VGT | 5 | V | VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = -40 °C VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = 0-125 °C VD = Номин. VDRM; RL = 1000 Ом; Tj = +125 °C | ||
| 0.3 | 3 | V | ||||
| V | ||||||
| Пиковое отрицательное напряжение | VGRM | 5 | V |
Динамические
| Параметр | Обозначение | Мин. | Макс. | Тип. | Единицы | Условия |
| Время задержки | td | 1.5 | 0.7 | μs | ITM = 50 А; VD = Номин. VDRM | |
| Импульс на затворе: VG = 20 В; RG = 20 Ом; tr = 0,1 мкс; tp = 20 мкс | ||||||
| Время выключения (при VR = -50 В) | 500 | 250 | μs | ITM = 1000 А; di/dt = 25 А/мкс; | ||
| VR > -50 В; повторно приложенное dV/dt = 20 В/мкс линейно до 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 °C; коэффициент заполнения cPSTCle > 0,01% | ||||||
| Заряд обратного восстановления | Qrr | μC | ITM = 1000 А; di/dt = 25 А/мкс; | |||
| * | VR > -50 В |
YZPST-N2055MC280
Дополнительная информация о продукте отсутствует.
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Подписывайтесь на YZPST
