65R72GF N-канальный силовой MOSFET в качестве замены STW48N60M2

✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям

Эл. почтаinfo@yzpst.net

Телефон+86 138 0527 8321

ЗАПРОСИТЬ ТЕХНИЧЕСКОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ↗

Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.

ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ

Загрузки и технические файлы

YZPST-65R72GF.pdfСКАЧАТЬ ↘

Полевой МОП-транзистор N-канала

Тип: YZPST-65R72GF

ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
Vds (В) при Tj max.	700
Rds(ofi)макс. при 25°C (мΩ)	Vgs=10 В 72
Qg макс. (нКл)	130
Qgs (нКл)	30
Qgd (нКл)	34
Конфигурация	одиночная

Особенности
MOSFET с быстрым встроенным диодом
|D=47 А (Vgs=10 В)
Сверхнизкий заряд затвора
Улучшенная устойчивость к dv/dt
Соответствует RoHS
YZPST-65R72GF силовой MOSFET

Области применения

Импульсные источники питания (SMPS)
Источники питания для серверов и телекоммуникационного оборудования
Сварочные аппараты и зарядные устройства для аккумуляторов
Солнечные инверторы (PV)
Мостовые цепи AC/DC

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА
Изделие	YZPST-65R72GF
Корпус изделия	TO-247
Маркировка	65R72GF

ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ (Tc=25o°C, если не указано иное)
Параметр	Обозначение	Предел	Ед. изм.
Напряжение сток-исток	Vdss	650	V
Непрерывный ток стока (@Tc=25°C)	Id	47⑴	А
Непрерывный ток стока (@Tc=100°C)	Id	29⑴	А
Импульсный ток стока(2)	Idm	138⑴	А
Напряжение затвор-исток	Vgs	±30	V
Энергия одиночного импульсного лавинного пробоя(3)	Eas	1500	мДж
Устойчивость MOSFET к dv/dt (@VDS=0~400 В)	dv/dt	25	В/нс
Пиковая скорость восстановления диода dv/dt ⑷	dv/dt	15	В/нс
Полная рассеиваемая мощность (@Tc=25°C)	Pd	417	Вт
Коэффициент дерейтирования выше 25°C	Pd	3.34	Вт/°C
Рабочая температура перехода и температура хранения	Tstg, Tj	-55 до +150	°C
Максимальная температура вывода при пайке	Tl	260	°C