Примечания:
Все параметры указаны для Tj=25 °C, если
не оговорено иное.
(1) Все номиналы напряжения указаны для приложенного
синусоидального сигнала 50 Гц/60 Гц в диапазоне
температур от -40 до +150 °C.
(2) Макс. ширина импульса 10 мс
(3) Максимальное значение для Tj = 150 °C.
(4) См. определение параметра ниже:

Проводящее — открытое состояние

Параметр	Обозначение	Мин.	Макс.	Тип	Единицы измерения	Условия
Макс. среднее значение тока в открытом состоянии	IF(AV)		5940		A	Синусоидальный режим, проводимость 180°, Tc=100°C
Действующее значение тока в открытом состоянии	IF(RMS)		9330		A	Номинальное значение
Пиковый однопериодный бросок (неповторяющийся) ток	IFSM		93.6		кА	Tj=150°C, VR=0 В, tp=10 мс
I²t	I2t		43,8×10³		кА²с	10 мс
Пиковое напряжение в открытом состоянии	VFM		1.26		V	IFM = 6000 А; Tj = Tj Max
Пороговое напряжение	VF0		0.8		V	Tj = Tj Max
Сопротивление наклона	rf		0.076		мОм	Tj = Tj Max
Заряд обратного восстановления (4)	Qrr		9000	-	мКл
Время обратного восстановления (4)	tRR		-		мс

* За гарантированными максимальными значениями обращайтесь на завод

Для получения дополнительной информации о стандартном диоде загрузите PDF-файл выше с названием" YANGZHOU POSITIONING TECH CO силовые тиристоры и диодные компоненты "

http://www.youtube.com/channel/UCZ3mV8GmGNcX4WcYEoWX-_g/featured

ТЕПЛОВЫЕ И МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Параметр		Мин.	Макс.	Тип.	Единицы измерения	Условия
Рабочая температура	Tj	0	+150		°C
Температура хранения	Tstg	-40	+160		°C
Тепловое сопротивление — переход-корпус	RQ (j-c)		0.004		°C/Вт	Охлаждение с двух сторон С охлаждением с одной стороны
Тепловое сопротивление — корпус-радиатор	RQ (c-s)		1		°C/Вт	Охлаждение с двух сторон С охлаждением с одной стороны
Тепловое сопротивление — переход-радиатор	RQ (j-s)		- -		°C/кВт	Охлаждение с двух сторон С охлаждением с одной стороны
Монтажное усилие	P	110	130		kN
Масса	W			-	кг	примерно

* Монтажные поверхности должны быть гладкими, ровными и смазанными

Габаритный чертёж и размеры корпуса

Обозначение	A	B	C	D	H
mm	172	110	159	3.5×3	35±1

YZPST может предоставить следующий список аналогов для стандартных диодов с высоким переходом(капсульный тип)

Тип	IF(AV)	IFSM @TVJM&10ms	VRRM	IRRM (max) Tj=125 °C	VFM(max)			Tvj	Rthjc	F±10%
Тип	А	KA	V	мА	IFM (A)	IFM (A)	Tj(°C)	°C	K/W	KN
A640	1500	16	1200-2200	35	1.09	1000	25	185	0.04	15
A641	1500	15	1800-2600	70	1.09	1000	25	185	0.04	15
A643	1000	10	3600-4600	50	1.40	1000	160	170	0.04	15
A740	2400	30	1400-2000	50	0.86	1000	160	185	0.02	25
A750	1800	22	2400-3200	50	0.96	1000	160	175	0.02	25
A780	1500	18	3500-4600	50	1.15	1000	160	170	0.02	25
A800	4400	63	1800-2600	100	0.865	2000	160	185	0.01	36
A801	3900	57	2800-3200	100	1.05	2000	150	175	0.01	36
A880	2900	36	3600-4500	100	1.15	2000	160	170	0.01	36

Для получения дополнительной информации о стандартном диоде, пожалуйста, загрузите PDF-файл выше, названный" YANGZHOU POSITIONING TECH CO силовые тиристоры и диодные компоненты "

Дополнительная информация о продукте отсутствует.

СОПУТСТВУЮЩИЙ ПОРТФЕЛЬ

От номера детали до полного решения по электропитанию.

Оставить запрос→

Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.

Подписывайтесь на YZPST

ОзнакомитьсяО компании Продукция Решения Новости Видео

ПродукцияПолупроводниковые приборы Конденсаторы Защита Литцендрат

Техническая консультация

Отправьте нам номер детали, требуемые электрические параметры и область применения.

Связаться с YZPST →

Конфиденциальность Файлы cookie Условия использованияКонтакты

Мы ценим вашу конфиденциальность

Мы используем необходимые cookie для работы этого сайта. С вашего разрешения аналитические cookie помогают нам понимать, как используется сайт. Ознакомьтесь с нашей Политикой cookie.

YZPST-DRD5940H55

Загрузки и технические файлы

Характеристики:

Типовые области применения:

Похожие продукты

YZPST-SKKT92-12E

YZPST-2.4kvdc-0.15UF

YZPST-BT152X-800R

Тороидальный трансформатор NT-10

YZPST-BT145-800R

YZPST-UGE0421AY4

Связаться с нами