ВИЗУАЛЬНЫЙ ОБЗОР ПРОДУКТА01 / ГАЛЕРЕЯ
СИЛОВОЙ КОМПОНЕНТ
YZPST-RH55N30T
✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям
Эл. почтаinfo@yzpst.net
Телефон+86 138 0527 8321
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ
Загрузки и технические файлы
P/N: YZPST-RH55N30T
Затвор с логическим уровнем управления
Передовая технология процесса
Динамический показатель dv/dt
Рабочая температура 175°C
Быстрое переключение
Полностью лавинно-стойкий
Без свинца
RF MOSFET для мощности - 30 МГц
V DSS=55 В
RDS(on)=0,035 Ом
ID=30 А
Абсолютные Максимальные предельные значения
| параметр | Макс. | ед. | |
| ID при Tc = 25°C | непрерывный ток стока ток, VGS @ 10 В | 30 | |
| ID при Tc = 100°C | непрерывный ток стока ток, Vисток-затвор @ 10 В | 21 | |
| A | |||
| Iсток-исток | импульсный ток стока ток0① | 110 | |
| PDпри Tc = 25°C | Мощность рассеяние | 68 | w |
| Линейный Коэффициент снижения номинала Фактор | 0.45 | с/°C | |
| Vисток-затвор | Напряжение затвор-исток Напряжение | ±16 | V |
| EAS | одиночный Импульсная лавинная энергия ② | 110 | мДж |
| IAR | Лавинный ток① | 16 | A |
| EAR | Повторяющееся Лавинная энергия① | 6.8 | мДж |
| dv/dt | пиковое Диод восстановление dv/dt ③ | 5 | В/нс |
| TДж | рабочий Переход и | -55 до + 175 | |
| температуры хранения температура Диапазон | °C | ||
| TSTG | |||
| пайка Температура, для 10 секунд | 300 (1,6 мм от корпуса) | ||
| Момент затяжки, 6-32 или M3 sвинт. | 10 фунт-сила·дюйм (1,1 Н·м) |
Тепловой сопротивление
| параметр | Мин. | ТИП. | Макс. | ед. | |
| RθJc | переход-корпус | ———1 | ———1 | 2.2 | ℃/W |
| RθcS | корпус-радиатор, плоская, смазанная поверхность | ———1 | 0.5 | ———1 | |
| RθJA | Переход — окружающая среда | ———1 | ———1 | 62 |
Дополнительная информация о продукте отсутствует.
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Подписывайтесь на YZPST
