ВИЗУАЛЬНЫЙ ОБЗОР ПРОДУКТА01 / ГАЛЕРЕЯ
СИЛОВОЙ КОМПОНЕНТ
YZPST-RM016120T
✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям
Эл. почтаinfo@yzpst.net
Телефон+86 138 0527 8321
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ
Загрузки и технические файлы
P/N:YZPST-RM016120T SiC MOSFET
Особенности
Широкозонный запрещённой зоны SiC MOSFET технология
Низкое сопротивление в открытом состоянии при высоком блокирующем напряжении
Низкие ёмкости при высокоскоростном переключении
Низкий обратный заряд восстановления (Qrr)
Галоген Без свинца, соответствует RoHS
Преимущества
Снизить потери при переключении
Повышенная системная Частота переключения
Повышенная плотность мощности
Снижение теплоотвода требований
Области применения
Импульсные источники питания
Возобновляемая энергетика
Бортовое зарядное устройство
Высоковольтные преобразователи DC/DC
Назначение выводов корпуса
Вывод 1 — затвор
Вывод 2 — сток
Вывод 3 — Источник питания
Корпус Габаритные размеры
Дополнительная информация о продукте отсутствует.
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Подписывайтесь на YZPST
