ВИЗУАЛЬНЫЙ ОБЗОР ПРОДУКТА01 / ГАЛЕРЕЯ
СИЛОВОЙ КОМПОНЕНТ
YZPST-R80N65HTNF
✓Техническая информация о продукте✓Подбор с учетом сферы применения✓Запрос по каталогу и требованиям
Эл. почтаinfo@yzpst.net
Телефон+86 138 0527 8321
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
ЦЕНТР ДОКУМЕНТАЦИИ
Загрузки и технические файлы
P/N: YZPST-R80N65HTNF
N-канальный силовой MOSFET
Особенности
Передовая технология
Отличные потери проводимости и коммутации
Отличная стабильность и однородность
Быстрый и мягкий встречно-параллельный диод
Области применения
Индукционные преобразователи
Источники бесперебойного питания
Ключевые параметры производительности
Параметр | Значение | Ед. изм. |
VCES, мин. @ 25 °C | 650 | V |
Максимальная температура перехода | 175 | °C |
I°C, импульс | 320 | A |
VCE(sat), тип. @ VGE=15 V | 1.35 | V |
Qg | 224 | нКл |
Маркировка Информация
Товар Наименование | Корпус | Маркировка |
R8 0N65HTNF | TO247 | R80N65HTN |
Корпус и Вывод Информация
Информация о корпусе
Дополнительная информация о продукте отсутствует.
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Подписывайтесь на YZPST
