









YZPST-FF600R17ME4 (600B170E53)
Краткое описание продукта и основная техническая информация будут загружены из базы данных продуктов.
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
P/N:YZPST-600B170E53 (YZPST-FF600R17ME4)
Области применения
Инвертор для привода двигателя
Усилитель сервопривода переменного и постоянного тока
ИБП (источники бесперебойного питания)
Особенности
Низкое Vce(sat) благодаря технологии SPT+ IGBT
Vce(sat) с положительным температурным коэффициентом
Включая быстрый и мягкий антипараллельный FWD
Высокая устойчивость к короткому замыканию (10 мкс)
Модульная конструкция с низкой индуктивностью
Максимальная температура перехода 175℃

Предельные абсолютные значения
Параметр |
Обозначение |
Условия |
Значение |
Ед. изм. |
Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | VGE=0В, IC =1 мА, Tvj=25℃ | 1700 | V |
Непрерывный ток коллектора | IC | Tc=100℃ | 600 | A |
Пиковый ток коллектора Ток | ICRM | ICRM =2IC | 1200 | A |
Напряжение затвор-эмиттер | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Общая Рассеиваемая мощность рассеяние (IGBT-инвертор) | Pобщ. | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 4286 | W |
Характеристики IGBT
| Параметр | Значение | Ед. изм. | ||||
| Обозначение | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | ||
| Пороговое напряжение затвор-эмиттер | VGE(th) | VGE=VCE, IC =24 мА, Tvj=25℃ | 5.4 | 6.2 | 7.4 | V |
| Ток отсечки коллектора-эмиттера-off Current | ICES | VCE=1700 В, VGE=0 В, Tvj=25℃ | 1 | мА | ||
| Ic=600 А, VGE=15 В, Tvj=25℃ | 2.4 | 2.75 | V | |||
| Ic=600 А, VGE=15 В, Tvj=125℃ | 2.8 | V | ||||
| Коллектор-эмиттер Напряжение насыщения | VCE(sat) | Ic=600 А, VGE=15 В, Tvj=150℃ | 2.9 | V | ||
| Входная ёмкость | Cies | 40 | нФ | |||
| Выходная ёмкость | Coes | 2.09 | нФ | |||
| Обратная передаточная ёмкость | Cres | VCE=25 В, VGE =0В, f=1 МГц, Tvj=25℃ | 1.44 | нФ | ||
| Время задержки включения | td(вкл.) | 180 | нс | |||
| Время нарастания | tr | 100 | нс | |||
| Время задержки при выключении | td(выкл.) | 300 | нс | |||
| Время спада | tf | IC =600 А | 100 | нс | ||
| энергия рассеяние При включении время | Eon | VCE = 900 В VGE = ±15 В RG = 1,0 Ом Tvj=25℃ | 150 | мДж | ||
| энергия рассеяние Во время отключенияотключения время | Eвыкл. | 100 | мДж | |||
| Время задержки включения | td(вкл.) | 190 | нс | |||
| Время нарастания | tr | 110 | нс | |||
| Время задержки при выключении | td(выкл.) | 350 | нс | |||
| Время спада | tf | IC =600 А | 150 | нс | ||
| энергия рассеяние При включении время | Eon | VCE = 900 В VGE = ±15 В RG = 1,0 Ом Tvj=125℃ | 225 | мДж | ||
| энергия рассеяние Во время отключенияотключения время | Eвыкл. | 160 | мДж | |||
Корпус Габаритные размеры

От номера детали до полного решения по электропитанию.

Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Отправьте нам номер детали, требуемые электрические параметры и область применения.
Связаться с YZPST →© 2026 YZPST. Все права защищены.
Мы используем необходимые cookie для работы этого сайта. С вашего разрешения аналитические cookie помогают нам понимать, как используется сайт. Ознакомьтесь с нашей Политикой cookie.

.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)

