YZPST-QM3N150C Быстрый переключающийся 1500V N-канальный MOSFET

Продукты

YZPST-QM3N150C Быстрый переключающийся 1500V N-канальный MOSFET

1500V N-канальный MOSFET

YZPST-QM3N150C

Общее описание

Этот силовой MOSFET производится с использованием передовой

технологии само-выравнивающегося планара. Эта передовая

технология была специально разработана для минимизации

сопротивления включения, обеспечения превосходной коммутации

и выдерживания высокоэнергетических импульсов в режиме

лавины и коммутации.

Эти устройства могут использоваться в различных схемах

силового коммутации для миниатюризации системы и повышения

эффективности.

Особенности

3A, 1500V, RD5(on)typ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A

Низкий заряд на вороте (типичный 37нК)

Низкая емкость обратного переключения (типичная 2.8пФ)

Быстрая коммутация

100% испытание на лавину

описание1
Молния 1/5 молнии для мужских спортивных свитеров. Эластичная, легкая, быстро сохнущая ткань для превосходной производительности. РЕГУЛЯРНАЯ ПОСАДКА - Стандартные размеры США. Спортивная посадка, сидящая близко к телу для широкого диапазона движения, разработана для оптимальной производительности и комфорта в течение всего дня. ОСОБЕННОСТИ - Застежка на четверть молнии; Дырки для большого пальца на длинных рукавах, чтобы удерживать их на месте во время тренировки
Product description

1500V N-Channel MOSFET

YZPST-QM3N150C

General Description

This Power MOSFET is produced using advanced

self- aligned planar technology. This advanced

technology has been especially tailored to minimize

on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the

avalanche and commutation mode.

These devices can be used in various power switching

circuit for system miniaturization and higher efficiency.

Features

3A, 1500V, RD5(on)typ. = 50@VGS= 10 V ld=1.5A

Low gate charge (typical 37nC)

Low reverse transfer capacitance (typical2.8pf)

Fast switching

100% avalanche tested

Absolute Maximum Ratings Tc=25 Cunles otherwise noted

Symbol Parameter YZPST-QM3N150C Units
Voss Drain-Source Voltage 1500 V
lo Drain Current Continuous(Tc=25℃) 3 A
Continuous(Tc=100℃) 1.8 A
loM Drain Current - Pulsed                   (Note  1) 12 A
VGss Gate-Source Voltage ±30 V
EAS Single Pulsed Avalanche Energy           (Note  2) 225 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt                (Note  3) 5 V/ns
Po Power  Dissipation(Tc=25℃) 32 W
T,Tsts Operating anc Storage Temperature Range -55 to+150
Tt Maximum lead temperature for soldering purposes
1/8" frome case for 5 seconds
300

TO-3PH Package lInformation

For more information aboutYZPST-QM3N150C-G320 please download the PDF file above named " YZPST-QM3N150C-G320 "

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ