Продукты

описание1
Молния 1/5 молнии для мужских спортивных свитеров. Эластичная, легкая, быстро сохнущая ткань для превосходной производительности. РЕГУЛЯРНАЯ ПОСАДКА - Стандартные размеры США. Спортивная посадка, сидящая близко к телу для широкого диапазона движения, разработана для оптимальной производительности и комфорта в течение всего дня. ОСОБЕННОСТИ - Застежка на четверть молнии; Дырки для большого пальца на длинных рукавах, чтобы удерживать их на месте во время тренировки
Описание продукта

NPN КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 13005D
\u25cf ОПИСАНИЕ:
13005D - это NPN-транзистор, используемый в электронных балластах и электронных энергосберегающих лампах. Он обладает характеристиками низких потерь при переключении, высокой надежности, хорошими характеристиками при высокой температуре, подходящей скоростью переключения, высоким пробивным напряжением и низким обратным током утечки.

YZPST-13005D-1

Символ

Параметр

Значение

Unit

V CBO

Напряжение коллектор-эмиттер

700

V

V CEO

Напряжение коллектор-эмиттер

400

V

V EBO

Напряжение эмиттер-база

9

V

I C

Непрерывный ток коллектора

3

A

Icm

Ток импульсного тока коллектора uff08 Tp uff1c 5ms ")

6

A

P TOT

Полное рассеяние при Tcase=25 ℃

TO-126SD

50

W

TO-220

75

T j

Температура пересечения

150

{ "task_id": "49200539", "text": " \

T stg

Диапазон температуры хранения

-55 150

{ "task_id": "49200539", "text": " \

• ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TC = 25°C, если не указано иное)

Символ

Параметр

Условие теста

Значение

Unit

Мин

Тип

Макс

I CBO

Ток отключения коллектора

V CB = 700 V uff0c I E = 0

0.1

mA

I CEO

Базовый отсечной ток

V CE = 400 V uff0c Ic = 0

0.1

mA

I EBO

Ток отсечки излучателя

V EB = 9 В uff0c I C = 0

0.1

mA

V CBO

Напряжение пробоя коллектор-база

I C = 0.1мА

700

V

V CEO

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

I C = 0.1мА

400

V

V EBO

Напряжение пробоя эмиттер-база

I B = 0.1мА

9

V

h FE

Коэффициент постоянного тока

I C = 0.5A,V CE = 5V

15

35

a

V CE sat

Напряжение пробоя коллектор-база

I C = 2A,I B = 0.5A

1

V

a

V BE сидеть

Напряжение насыщения база-эмиттер

I C = 2A,I B = 0.5A

1.5

V

ts

Время хранения

UI9600 uff0c Ic=0.5A

2

7

нас

f T

Частота перехода

V CE =10V uff0c I C =0.2A F=1МГц

5

МГц

a uff1a Pulse Test uff0c tp \ 300us uff0c , δ ≤ 2%

headerPACKAGE MECHANICAL DATA

YZPST-13005D-2 YZPST-13005D-3

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ