YZPST-150B120F23

Продукты

YZPST-150B120F23

Модуль мощности IGBT YZPST-150B120F23
VCE=1200V   IC=150A

Применение
 Инвертор для привода двигателя
 Усилитель переменного и постоянного тока
 Бесперебойные источники питания (UPS)
 Сварочный аппарат с мягким переключением
Особенности
 Низкое Vce(sat) с технологией Trench Field-stop
 Vce(sat) с положительным температурным коэффициентом
 Включая быстрый и мягкий обратный диод FWD
 Высокая способность к короткому замыканию (10 мкс)
 Модульная структура с низкой индуктивностью

Максимальная рабочая температура стыка 175℃ 

описание1
Молния 1/5 молнии для мужских спортивных свитеров. Эластичная, легкая, быстро сохнущая ткань для превосходной производительности. РЕГУЛЯРНАЯ ПОСАДКА - Стандартные размеры США. Спортивная посадка, сидящая близко к телу для широкого диапазона движения, разработана для оптимальной производительности и комфорта в течение всего дня. ОСОБЕННОСТИ - Застежка на четверть молнии; Дырки для большого пальца на длинных рукавах, чтобы удерживать их на месте во время тренировки
Product Introduction

IGBT Power Module YZPST-150B120F23

VCE=1200V   IC=150A

Applications
 Inverter for motor drive
 AC and DC servo drive amplifier
 UPS (Uninterruptible Power Supplies)
 Soft switching welding machine
Features
 Low Vce(sat) with Trench Field-stop technology
 Vce(sat) with positive temperature coefficient
 Including fast & soft recovery anti-parallel FWD
 High short circuit capability(10us)
 Low inductance module structure

 Maximum junction temperature 175℃ 

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100℃

150

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

300

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25℃

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25℃

Tvjmax=175℃

968

W

IGBT Characteristics

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =4mA,Tvj=25℃ 5.2 6 6.8 V
    VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25℃     1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125℃     5 mA
Collector-Emitter   Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25℃   1.8 2.1 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125℃   2   V
Input Capacitance Cies     9.8   nF
Output Capacitance Coes VCE=25V,VGE =0V,   0.82   nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25℃   0.48   nF
Internal Gate Resistance Rgint     2.5   Ω
Turn-on Delay Time td(on)     185   Ns
 
Rise Time tr IC =150 A   55   Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE = 600 V   360   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   115   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 5.1Ω   15.4   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25℃   11.6   mJ
Turn-on Delay Time td(on)     200   Ns
 
 
Rise Time tr IC =150 A   60   Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V   420   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   120   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =5.1Ω   23.2   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125℃   17   mJ
    Tp≤10us,VGE=15V,        
SC Data Isc Tvj=150℃,Vcc=600V, 500 A
    VCEM≤1200V    

Diode Characteristics

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Diode DC Forward Current IF Tc=100℃   150   A
Diode Peak Forward Current IFRM     300   A
    IF=150A,Tvj=25℃   1.8 2.3 V
Forward Voltage VF IF=150A,Tvj=125℃   1.85   V
Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Recovered Charge Qrr     13.4   uC
 
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V   143   A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us   160   ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25℃   9.1   mJ
Recovered Charge Qrr     26.1   uC
 
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V   178   A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us   440   ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125℃   15.4   mJ

Module CharacteristicsTC=25°C unless otherwise specified

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500     V
Maximum Junction Temperature Tjmax       150
Operating Junction Temperature Tvjop   -40   125
Storage Temperature Tstg   -40   125
    per IGBT-inverter     0.155 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter     0.292 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied   0.05   K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5   5 N·m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3   5 N·m
Weight of Module G     150   g

Package Dimensions

 

For more information about YZPST-150B120F23 please download the PDF file above named " YZPST-150B120F23 "

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ