RU

YZPST-230B170F62
дом  >  Продукты  >  YZPST-230B170F62

Продукты

Горячий продукт

YZPST-230B170F62

Модуль мощности All-SiC  P/N:YZPST-230B170F62

VDS=1700V    RDS(on)=7.5мΩ
Приложения
 Индукционное нагревание
 Солнечные и ветряные инверторы
 DC/AC преобразователи
Особенности
 Ультранизкие потери
 Высокочастотная работа
 Нулевой обратный ток восстановления с диода
 Нулевой ток хвоста выключения с MOSFET
 Обычно отключено, безопасная работа устройства

 Простота параллельного соединения

Email: info@yzpst.net

Тел: 8613805278321

Whatsapp: 8613805278321

YZPST-230B170F62
YZPST-230B170F62.pdf
описание1
Молния 1/5 молнии для мужских спортивных свитеров. Эластичная, легкая, быстро сохнущая ткань для превосходной производительности. РЕГУЛЯРНАЯ ПОСАДКА - Стандартные размеры США. Спортивная посадка, сидящая близко к телу для широкого диапазона движения, разработана для оптимальной производительности и комфорта в течение всего дня. ОСОБЕННОСТИ - Застежка на четверть молнии; Дырки для большого пальца на длинных рукавах, чтобы удерживать их на месте во время тренировки
Product Introduction

All-SiC Power Module  P/N:YZPST-230B170F62

VDS=1700V    RDS(on)=7.5mΩ
Applications
 Induction heating
 Solar and wind inverters
 DC/AC converters
Features
 Ultra low loss
 High-Frequency operation
 Zero reverse recovery current from diode
 Zero turn-off tail current from MOSFET
 Normally-off,fail-safe device operation

 Ease of paralleling

Absolute Maximum Ratings (TC =25℃ unless otherwise specified)

Parameter        
Symbol Conditions Value Unit
Drain-source voltage VDSmax   1700 V
    VGS=20V, Tc=25℃ 230  
Continuous collector current ID VGS=20V, Tc=100℃ 200 A
Gate- source voltage VGSmax Absolute maximum values -10V/+25V V
Gate-source voltage VGSop Recommended operational values -5V/+20V V
Operating Junction and Storage Temperature TJ TSTG   -40~+155 ℃

Electrical Characteristics (TC  =25℃ unless otherwise specified)

 

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Gate threshold voltage VGSth ID =108mA 2 2.6 4 V
Zero gate voltage drain current IDSS VDS=1700V,VGS=0V   6 600 uA
Gate-source leakage current IGSS VGS=20 V     1500 nA
    VGS=20V, IDS=230A   7.5 11.7 ma
On state resistance RDS(on) VGS=20V, IDS=230A,Tvj=150℃   15   ma
Input capacitance Ciss     21.3   nF
Output capacitance Coss VGS=0V,VDS=1000V, VAC=25mV f=1MHz   0.99   nF
Reverse transfer capacitance Crss     0.04   nF
Gate-source charge QGS     324   nC
Gate-drain charge QGD VDS=1200V,VGS = +20V/-5V   150   nC
Total gate charge QG ID =300 A   1158   nC
Turn-on delay time td(on)     27   ns
ID =180A
Rise time tr VDS =1200V   32   ns
Turn-off delay time td(off) VGS = +20V/-5V   36   ns
Fall time tf RG= 2.5a   10   ns
Energy dissipation during turn-on time   ID =180A        
Eon VDS =1200V 1.2 mJ
  VGS = +20V/-5V    
  RG= 2.5a    
Energy dissipation during turn-off time Eoff L=200uH   2   mJ
    IF=300A   1.6 1.9 V
Diode forward voltage VSD IF=300A,Tvj=150℃   2.2 2.8 V

Module Characteristics (TC  =25℃ unless otherwise specified)

Parameter     Value  
Symbol Conditions Min. Typ. Max. Unit
Case isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500     V
Maximum junction temperature Tjmax       175 ℃
Operating junction temperature Tvj op   -40   150 ℃
Storage temperature Tstg   -40   125 ℃
Module electrodes torque Mt Recommended(M6) 3   6  
Module to heatsink torque Ms Recommended(M6) 3   6 Nm
Weight of module G     300   g

Circuit Diagram

 

Package Dimensions

Связанные продукты

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ