YZPST-BTA208X-600E

Серия тиристоров BTA208 8A

YZPST-BTA208X-600E

ОПИСАНИЕ:
Обладая высокой способностью выдерживать ударную нагрузку большого
тока, тиристоры серии BTA208 обеспечивают высокую скорость dv/dt
с сильным сопротивлением к электромагнитным помехам.
Обладая высокой коммутационной способностью, продукты 3 квадранта
особенно рекомендуются для использования в индуктивных
нагрузках. От всех трех выводов до внешнего радиатора,
BTA208 обеспечивает номинальное изоляционное напряжение 2500 VRM

соответствующее стандартам UL (Файл ref: E516503).

Email: info@yzpst.net

Тел: 8613805278321

Whatsapp: 8613805278321

YZPST-BTA208X-600E

YZPST-BTA208.pdf

описание1

Молния 1/5 молнии для мужских спортивных свитеров. Эластичная, легкая, быстро сохнущая ткань для превосходной производительности. РЕГУЛЯРНАЯ ПОСАДКА - Стандартные размеры США. Спортивная посадка, сидящая близко к телу для широкого диапазона движения, разработана для оптимальной производительности и комфорта в течение всего дня. ОСОБЕННОСТИ - Застежка на четверть молнии; Дырки для большого пальца на длинных рукавах, чтобы удерживать их на месте во время тренировки

YZPST-BTA208X-600E BTA208X-600E triac high dv/dt rate with strong resistance to electromagnetic interface

BTA208 Series 8A Triacs

YZPST-BTA208X-600E

DESCRIPTION:
With high ability to withstand the shock loading of Large
current, BTA208 series triacs provide high dv/dt
rate with strong resistance to electromagnetic interface.
With high commutation performances, 3 quadrants
products especially recommended for use on inductive
load. From all three terminals to external heatsink,
BTA208 provides a rated insulation voltage of 2500 VRM

S complying with UL standards (File ref: E516503).

MAIN FEATURES:

symbol	value	unit
IT(RMS)	8	A
VDRM/VRRM	600/800	V
VTM	≤1.5	V

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS:

Symbol	Parameter	Value	Unit
ITSM	Non repetitive surge peak on-state Current (tp=10ms)	80	A
I2t	(tp=10ms)	32	A2S
dI/dt	IG=2IGT ，tr≤100ns,Tj=125℃	50	A/ μs
IGM	Peak gate current(tp=20us)	2	A
PG(AV)	Average gate power	1=0.5	W
Tstg Tj	Storage temperature Operating junction temperature	-40--+125 -40--+125	℃
Viso	AC RMS App lied for 1 minute Between lead and case	1800	V

I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	32	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)	dI/dt	50	A/ μs
Peak gate current	IGM	4	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	5	W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25℃ unless otherwise specified)

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		TW	SW	CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			5	10	35	50	mA
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.5				V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2				V
IH	IT=100mA		MAX	10	20	40	60	mA
		Ⅰ-Ⅲ		20	25	50	70
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	25	35	70	90	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	50	200	500	1000	V/ µs