.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
.jpg?x-oss-process=image/resize,w_100/quality,q_100)
YZPST-BTA06-600SW
YZPST-BTA06-600SW
Высокие коммутационные характеристики 6A BTA06 600SW Триак T0-220
Серия BTA06/BTB06 6A Триаки
ОПИСАНИЕ:
Обладая высокой способностью выдерживать ударную нагрузку большого тока, тиристоры серии BTA06/BTB06 обеспечивают высокую скорость dv/dt с сильным сопротивлением к электромагнитным помехам.
Обладая высокими коммутационными характеристиками, продукты 3 квадранта особенно рекомендуются для использования в индуктивной нагрузке. От всех трех выводов до внешнего теплоотвода, BTA06 обеспечивает номинальное изоляционное напряжение 2500 В переменного тока в соответствии с UL стандартами
.jpg)
YZPST-BTA06-600SW
High commutation performances 6A BTA06 600SW Triac T0-220
BTA06/BTB06 Series 6A Triacs
DESCRIPTION:
With high ability to withstand the shock loading of Large current, BTA06/BTB06 series triacs provide high dv/dt rate with strong resistance to electromagnetic interface.
With high commutation performances, 3 quadrants products especially recommended for use on inductive load. From all three terminals to external heatsink, BTA06 provides a rated insulation voltage of 2500 VRMS complying with UL standards
MAIN FEATURES:
|
symbol |
value |
unit |
|
IT(RMS) |
6 |
A |
|
VDRM/VRRM |
600/800 |
V |
|
VTM |
≤ 1.5 |
V |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS:
|
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
|
Storage junction temperature range |
Tstg |
-40~150 |
C |
|
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
C |
|
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C) |
VDRM |
600/800 |
V |
|
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C) |
VRRM |
600/800 |
V |
|
RMS on-state current |
IT(RMS) |
6 |
A |
|
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz) |
ITSM |
60 |
A |
PRODUCT DATA SHEET
|
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
18 |
A2s |
|
Critical rate of rise of on-state current(IG=2× IGT) |
dI/dt |
50 |
A/μs |
|
Peak gate current |
IGM |
2 |
A |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
1 |
W |
|
Peak gate power |
PGM |
5 |
W |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25C unless otherwise specified)
3 Quadrants：
| Parameter | Value | |||||||
| Test Condition | Quadrant | TW | SW | CW | BW | Unit | ||
| IGT | VD=12V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0 2 | V | |||
| IH | IT=100mA | MAX | 6 | 10 | 35 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 10 | 15 | 50 | 70 | mA | |||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 15 | 25 | 60 | 80 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open | ||||||||
| dV/dt | MIN | 50 | 100 | 500 | 1000 | V/µs | ||
4 Quadrants：
| Parameter | Value | |||||
| Test Condition | Quadrant | C | B | Unit | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33Ω | ALL | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | ALL | MIN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
| IL | IG=1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | MAX | 50 | 70 | mA |
THERMAL RESISTANCES
| Symbol | Test Condition | Value | Unit | |
| Rth(j-c) | junction to case(AC) | TO-251-4R/ TO-252-4R | 2.8 | C/W |
| TO-220A(Ins) | 3.4 | |||
| TO-220B(Non-Ins) | 2.2 | |||
| TO-220F(Ins) | 3.2 | |||
Связанные продукты
