RU

YZPST-D100H065AT1S3
дом  >  Продукты  >  YZPST-D100H065AT1S3

Продукты

Горячий продукт

YZPST-D100H065AT1S3

Траншея Технология полевых стоп IGBT 

YZPST-D100H065AT1S3

Особенности

    650V, 100A

    VCE(sat)(typ.)  =1.75V@VGE=15V, IC=100A

    Максимальная температура стыка 175 

    Без свинца Покрытие; Соответствует RoHS

 

Применение

    Солнечные преобразователи

    Непрерывное источник питания

    Преобразователи для сварки

    Преобразователи среднего и высокого диапазона частоты переключения

Email: info@yzpst.net

Тел: 8613805278321

Whatsapp: 8613805278321

YZPST-D100H065AT1S3
YZPST-D100H065AT1S3.pdf
описание1
Молния 1/5 молнии для мужских спортивных свитеров. Эластичная, легкая, быстро сохнущая ткань для превосходной производительности. РЕГУЛЯРНАЯ ПОСАДКА - Стандартные размеры США. Спортивная посадка, сидящая близко к телу для широкого диапазона движения, разработана для оптимальной производительности и комфорта в течение всего дня. ОСОБЕННОСТИ - Застежка на четверть молнии; Дырки для большого пальца на длинных рукавах, чтобы удерживать их на месте во время тренировки
Product Introduction

Trench Field-Stop Technology IGBT 

YZPST-D100H065AT1S3

Features

    650V, 100A

    VCE(sat)(typ.)  =1.75V@VGE=15V, IC=100A

    Maximum Junction Temperature 175 

    Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant

 

Applications

    Solar Converters

    Uninterrupted Power Supply

    Welding Converters

    Mid to High Range Switching Frequency Converters

Key Performance and Package Parameters

Order codes

VCE

IC

VCEsat, Tvj=25 

Tvjmax

Marking

Package

D100H065AT1S3

650V

100A

1.75V

175  ℃ 

D100H65AT1

TO247-3L

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter Value Unit
VCES Collector-Emitter Voltage 650 V
VGES Gate-Emitter Voltage ±20 V
IC Continuous Collector Current (TC=25 ℃ ) 125 A
Continuous Collector Current (TC=100  ℃  ) 100 A
ICM Pulsed Collector Current (Note 1) 200 A
  Diode Forward Current (TC=25  ℃ ) 125 A
IF Diode Forward Current (TC=100  ℃ ) 100 A
  Maximum Power Dissipation (TC=25  ℃ ) 385 W
PD Maximum Power Dissipation (TC=100  ℃ ) 192 W
TJ Operating Junction Temperature Range -40 to 175  ℃ 
TSTG Storage Temperature Range -55 to 150  ℃ 

Electrical Characteristics (Tc=25 unless otherwise noted.)

 

Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit
BVCES Collector-Emitter VGE=0V, IC=200uA 650     V
Breakdown Voltage --- ---
ICES Collector-Emitter Leakage Current VCE=650V, VGE=0V     1 mA
--- ---
  Gate Leakage Current, Forward VGE=20V, VCE=0V     600 nA
  --- ---
IGES Gate Leakage Current, Reverse VGE=-20V, VCE=0V     600 nA
  --- ---
VGE(th) Gate Threshold Voltage VGE=VCE , IC=750uA 4.2 --- 6 V
VCE(sat) Collector-Emitter VGE=15V, IC=100A, Tj=25 ℃ --- 1.75 2.2 V
Saturation Voltage VGE=15V, IC=100A, Tj=125 ℃ --- 2.05 --- V
td(on) Turn-on Delay Time   --- 35 --- ns
tr Turn-on Rise Time VCC=400V --- 155 --- ns
td(off) Turn-off Delay Time VGE=±15V --- 188 --- ns
tf Turn-off Fall Time IC=100A --- 69 --- ns
Eon Turn-on Switching Loss RG=8 --- 4.35 --- mJ
Eoff Turn-off Switching Loss Inductive Load --- 1.11 --- mJ
Ets Total Switching Loss TC=25 ℃  --- 5.46 --- mJ
Cies Input Capacitance VCE=25V --- 7435 --- pF
Coes Output Capacitance VGE=0V --- 237 --- pF
Cres Reverse Transfer f =1MHz   128   pF
Capacitance   --- ---
Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit
    IF=100A, Tj=25 ℃ --- 1.65 2.2 V
VF Diode Forward Voltage IF=100A, Tj=150 ℃ --- 1.4 --- V
trr Diode Reverse Recovery Time     201   ns
VR=400V --- ---
IF=100A    
Irr Diode peak Reverse dIF/dt=200A/us   19   A
Recovery Current TC=25 ℃ --- ---
Qrr Diode Reverse Recovery Charge     2.45   uC
  --- ---

Note1    Repetitive rating, pulse width limited by maximum junction temperature

Package Information

 

Связанные продукты

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ

СВЯЖИТЕСЬ С НАМИ