.jpg)
.jpg)

.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)

.jpg)
.jpg)
YZPST-KP1000A6500V
Краткое описание продукта и основная техническая информация будут загружены из базы данных продуктов.
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
P/N:YZPST-KP1000A/6500V
СИЛОВОЙ ТИРИСТОР ДЛЯ ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Особенности:
. Все Диффузная структураре
. Усиливающая схема с центральным затвором Gate
. Гарантированное Максимальное время выключения
. Высокая dV/dt способность
. Ассамблированный под давлением Отклce

Блокирующее — в выключенном состоянии
VRRM ( 1) | V DRM ( 1) | VRSM ( 1) |
6500 | 6500 | 6600 |
VRRM = Повторяющееся пиковое обратное напряжение
VDRM = повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии
VRSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)
Примечания:
Все параметры указаны при Tj=25 oC, если не указано иное
если не указано иное.
(1) Все значения напряжения указаны для приложенной синусоидальной формы сигнала 50 Гц/60 Гц в диапазоне
температур от -40 до +125 oC.
(2) Макс. длительность импульса 10 мс
(3) Максимальное значение при Tj = 125 oC.
(4) Минимальное значение для линейной и экспоненциальной
формы волны до 80% номинального VDRM. Затвор открыт.
Tj = 125 oC.
(5) Неповторяющееся значение.
(6) Значение di/dt установлено
в соответствии со стандартом EIA/NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Указанное значение будет дополнительно к значению, полученному от снабберной цепи, состоящей из конденсатора 0,2 мкФ и сопротивления 20 Ом, подключенных параллельно тиристору
под испытанием.
Повторяющиеся пиковые обратные токи утечки и в выключенном состоянии | IRRM / IDRM | 40 мА 200 мА (3) |
Критическая скорость нарастания напряжения | dV/dt (4) | 1000 В/мкс |
Проводимость - включенное состояние
| Параметр | Обозначение | Мин. | Макс.. | Тип. | Единицы | Условия |
| Макс. среднее значение тока в открытом состоянии ток коллектора | IT(сред.) | 1000 | A | Синусоидальная волна, 180o проводимость TC=70 oC | ||
| Действующее значение тока в открытом состоянии ток коллектора | IСКЗ | 1650 | A | Номинальное значение | ||
| Пиковое одно cpstcle цикл | ITSM | 18 | кА | 10.0 мс (50Гц), синусоидальный волна- форма, 180o проводимость, Tj = 125 oC | ||
| (неповторяющийся) ток коллектора | ||||||
| I квадратная t | I2t | 1620 | кА2s | |||
| Ток срабатывания фиксации | IL | 1500 | мА | VD = 24 В; RL= 12 Ом | ||
| Ток удержания | IВ | 500 | мА | VD = 24 В; I = 2,5 А | ||
| Пиковое напряжение в открытом состоянии | VTM | 2.65 | V | ITM = 1000 А; Tvj= 125℃ | ||
| Пороговое напряжение | VДо | 1.24 | V | Tvj= 125℃ | ||
| Наклонное сопротивление | rT | 1.01 | mОм | Tvj= 125℃ | ||
| Критическая скорость нарастания для в открытомсостоянии ток коллектора (5, 6) | di/dt | 500 | A/μs | Коммутационная от VDRM < 1500 В, | ||
| неповторяющийся | ||||||
| Критическая скорость нарастания для в открытомсостоянии ток коллектора (6) | di/dt | - | A/μs | Коммутационная от VDRM < 3500 В |
Управление затвором
Параметр | Обозначение | Мин. | Макс.. | Тип. | Единицы | Условия |
Пиковая рассеиваемая мощность затвора | PGM |
| 50 |
| W | tp = 40 мкс |
Средняя мощность затвора рассеиваемая мощность | PG(AV) |
| 10 |
| W |
|
Пиковый ток затвора | IGM |
| 10 |
| A |
|
Ток затвора, необходимый для включения всех приборов | IGT |
| 400 |
| мА мА мА | VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = -40 °C VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = +25 °C VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = +125 °C |
Напряжение затвора, необходимое для включения всех приборов |
VGT |
| - 2.6 - |
| V V V | VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = -40 °C VD = 6 В; RL = 3 Ом; Tj = 0- 125 °C VD = номинальное VDRM; RL = 1000 Ом; Tj = +125 °C |
Пиковое отрицательное напряжение | VGRM |
| 10 |
| V |
Динамические
Параметр | Обозначение | Мин. | Макс.. | Тип. | Единицы | Условия |
Время задержки | td |
|
- |
|
μs | ITM = 1000 А; VD = номинальное VDRM Импульс на затвор: VG = 20 В; RG = 20 Ом; tr = 0. 1 мкс; tp = 20 мкс |
Время выключения (при VR = -50 В) |
tq |
|
700 |
|
μs | ITM = 1000 А; di/dt = 1 А/мкс; VR > 200 В; повторно приложенное dV/dt = 20 В/мкс линейно до 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 °C; коэффициент заполнения cpstcle > 0,01% |
Заряд обратного восстановления | Qrr |
| - |
| мкА | ITM = 2000 А; di/dt = 1,5 А/мкс; VR > 200 В |
Контур корпуса и размеры.

Похожие продукты
От номера детали до полного решения по электропитанию.

Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
Отправьте нам номер детали, требуемые электрические параметры и область применения.
Связаться с YZPST →© 2026 YZPST. Все права защищены.
Мы используем необходимые cookie для работы этого сайта. С вашего разрешения аналитические cookie помогают нам понимать, как используется сайт. Ознакомьтесь с нашей Политикой cookie.






