.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-M2A016120L
Совет: укажите артикул, требуемые напряжение/ток и условия применения.
Загрузки и технические файлы
N-канальный SiC силовой MOSFET P/N: YZPST-M2A016120L
Особенности
Высокое блокирующее напряжение при низком сопротивлении в открытом состоянии
Высокоскоростное переключение при низкой ёмкости
Легко параллелится и просто управляется
Преимущества
Повышенный КПД системы
Сниженные требования к охлаждению
Повышенная удельная мощность
Повышенная частота переключения системы
Области применения
Возобновляемая энергетика
Зарядные устройства для аккумуляторов электромобилей
Высоковольтные DC/DC-преобразователи
Импульсные источники питания
Корпус
Часть Номер | Корпус |
M2A016120L | TO-247-4 |
Предельные значения(TC=25℃ unуказано иное)
| Обозначение | Параметр | Значение | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| VDSmax | Напряжение сток-исток | 1200 | V | VGS=0 В, ID=100 мкА | |
| VGSmax | Напряжение затвор-исток | -8/+22 | V | Абсолютные предельные значения | |
| VGSop | Напряжение затвор-исток | -4/+18 | V | Рекомендуемые рабочие значения | |
| ID | Непрерывный ток стока | 115 | A | VGS=18 В, Tc=25℃ | |
| 76 | VGS=18 В, Tc=100℃ | ||||
| ID(имп.) | Импульсный ток стока | 250 | A | Длительность импульса tp ограничена TJmax | |
| PD | Рассеиваемая мощность | 582 | W | Tc=25℃, TJ=175℃ | |
| TJ, TSTG | Рабочая температура p-n перехода и хранения | -55 до +175 | ℃ |
Электрические характеристики(TC=25℃ если не прочееиначе указано)
| Обозначение | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | Условия испытаний | Примечание |
| V(BR)DSS | Пробивное напряжение сток-исток | 1200 | / | / | V | VGS=0 В, ID=100 мкА | |
| VGS(th) | Пороговое напряжение затвора | 1.9 | 2.6 | 4 | V | VDS=VGS, ID=23 мА | |
| / | 1.8 | / | VDS=VGS, ID=23 мА, TJ=175℃ | ||||
| IDSS | Ток стока при нулевом напряжении затвор-исток | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200 В, VGS=0 В | |
| IGSS+ | Ток утечки затвор-исток | / | 10 | 250 | нА | VDS=0 В, VGS=22 В | |
| IGSS- | Ток утечки затвор-исток | / | 10 | 250 | нА | VDS=0 В, VGS=-8 В | |
| RDS(on) | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | / | 16 | 21 | мОм | VGS=18 В, ID=75 А | |
| / | 28 | / | VGS=18 В, ID=75 А, TJ=175℃ | ||||
| gfs | Крутизна | / | 40.5 | / | S | VDS=20 В, ID=75 А | |
| / | 37 | / | VDS=20 В, ID=75 А, TJ=175℃ | ||||
| Ciss | Входная ёмкость | / | 4300 | / | VGS=0 В | ||
| Coss | Выходная емкость | / | 236 | / | пФ | VDS=1000 В | |
| Crss | Обратная передаточная ёмкость | / | 35 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Энергия, запасённая в Coss | / | 136 | / | µJ | VAC=25 мВ | |
| EON | Энергия включения | / | 2.1 | / | µJ | VDS=800 В, VGS=-4 В/18 В | |
| EOFF | Энергия выключения | / | 1.6 | / | ID=40 А, RG(ext)=2,5 Ом, L=100 мкГн | ||
| td(on) | Время задержки включения | / | 150 | / | |||
| tr | Время нарастания | / | 38 | / | VDS=800 В, VGS=-4 В/18 В, ID=40 А RG(ext)=2,5 Ом, RL=20 Ом | ||
| td(off) | Время задержки выключения | / | 108 | / | нс | ||
| tf | Время спада | / | 35 | / | |||
| RG(int) | Внутреннее сопротивление затвора | / | 2.3 | / | Ом | f=1 МГц, VAC=25 мВ | |
| QGS | Заряд затвор-исток | / | 60 | / | VDS=800 В | ||
| QGD | Заряд затвор-сток | / | 44 | / | нКл | VGS=-4 В/18 В | |
| QG | Полный заряд затвора | / | 242 | / | ID=40 А |
Корпус Габаритные размеры
.jpg)
.jpg)
Силовые полупроводниковые приборы, защитные компоненты и промышленные решения в области электропитания.
