YZPST-S4A010120A
P/N:YZPST-S4A010120A Кремниевый карбидный Шоттки-диод
Кремниевый карбидный Шоттки-диод
Особенности
Нулевой обратный ток восстановления
Нулевое напряжение восстановления вперед
Положительный температурный коэффициент на VF
Температурно-независимый переключатель
Рабочая температура стыка 175°C
Преимущества
Замена биполярного устройства униполярным
Уменьшение размера радиатора
Параллельные устройства без теплового режима
Практически отсутствие потерь при переключении
Применение
Источники питания с переключением режима
Коррекция коэффициента мощности
Привод двигателя, инвертор ПВ, ветровая электростанция
P/N:YZPST-S4A010120A SiC Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Features
Zero Reverse Recovery Current
Zero Forward Recovery Voltage
Positive Temperature Coefficient on VF
Temperature-independent Switching
175°C Operating Junction Temperature
Benefits
Replace Bipolar with Unipolar Device
Reduction of Heat Sink Size
Parallel Devices Without Thermal Runaway
Essentially No Switching Losses
Applications
Switch Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Motor drive, PV Inverter, Wind Power Station
Maximum Ratings
| Symbol | Parameter | Value | Unit | TestConditions | Note |
| VRRM | RepetitivePeak ReverseVoltage | 1200 | V | TC = 25C | |
| VRSM | Surge Peak Reverse Voltage | 1200 | V | TC = 25C | |
| VR | DC BlockingVoltage | 1200 | V | TC = 25C | |
| 30 | TC ≤ 25C | ||||
| IF | Forward Current | 14 | A | TC ≤ 135C | |
| 10 | TC ≤ 150C | ||||
| IFSM | Non-RepetitiveForwardSurge Current | 95 | A | TC = 25C, tp = 8.3ms, Half Sine Wave | |
| Ptot | Power Dissipation | 150 | W | TC = 25C | Fig.3 |
| TC | MaximumCaseTemperature | 150 | C | ||
| TJ , TSTG | OperatingJunction andStorageTemperature | -55 to175 | C | ||
| TO-220 Mounting Torque | 1 | Nm | M3 Screw |
Electrical Characteristics
| Symbol | Parameter | Typ. | Max. | Unit | TestConditions | Note |
| VF | Forward Voltage | 1.55 | 1.8 | V | IF = 10A,TJ = 25C | Fig.1 |
| 2.2 | 2.5 | IF = 10A,TJ = 175C | ||||
| Reverse Current | 2 | 20 | µA | VR = 1200V, TJ= 25C | Fig.2 | |
| IR | 10 | 200 | VR = 1200V, TJ= 175C | |||
| 650 | VR = 0V, TJ= 25C, f = 1MHz VR = 400V, TJ = 25C, f =1MHz VR = 800V, TJ = 25C, f =1MHz | |||||
| C | Total Capacitance | 49 | / | pF | Fig.5 | |
| 40 | ||||||
| TotalCapacitive Charge | / | nC | VR = 800V,IF = 10A | Fig.4 | ||
| C | 29 | di/dt = 200A/µs, TJ= 25C |
If you have any other inquiries for similar SiC Products, please contact us now.
We will provide you our full list for SiC Products.
Связанные продукты
